最新資訊明佳達(dá)供應(yīng)進(jìn)口原裝ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTLUD3A260PZTAG MOSFET - 陣列 2個(gè) P溝道（雙）現(xiàn)貨庫(kù)存，質(zhì)量保證，實(shí)單有接受價(jià)請(qǐng)咨詢，QQ1668527835，電話13410018555，郵箱chen13410018555@163.com?。。?/p>
明佳達(dá)供應(yīng)進(jìn)口原裝ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTLUD3A260PZTAG MOSFET - 陣列 2個(gè) P溝道（雙）現(xiàn)貨庫(kù)存，質(zhì)量保證，實(shí)單有接受價(jià)請(qǐng)咨詢，QQ1668527835，電話13410018555，郵箱chen13410018555@163.com?。。?/span>
制造商：onsemi
產(chǎn)品型號(hào)：NTLUD3A260PZTAG
描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
詳細(xì)描述：MOSFET - 陣列 2 個(gè) P 溝道（雙） 20V 1.3A 500mW 表面貼裝型 6-UDFN（1.6x1.6）
屬性參數(shù)
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: UDFN-6
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 650 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 4.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
通道模式: Enhancement
配置: Dual
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
系列: NTLUD3A260P
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
應(yīng)用
?高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)
? PA 開(kāi)關(guān)
?針對(duì)便攜式電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化產(chǎn)品，例如手機(jī)、PMP、DSC、GPS 等
公司首頁(yè)：dgsgyy07.cn
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