供應(yīng) ON 晶體管——碳化硅（SiC）晶體管、IGBT晶體管、MOSFET晶體管深圳市明佳達電子有限公司——長期供應(yīng)【ON】全系列晶體管產(chǎn)品，涵蓋 碳化硅 (SiC) 晶體管、IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管等產(chǎn)品，公司長期致力于為客戶提供高性能、高可靠性的功率器件。明佳達電子長期供…
供應(yīng) ON 晶體管——碳化硅（SiC）晶體管、IGBT晶體管、MOSFET晶體管
深圳市明佳達電子有限公司——長期供應(yīng)【ON】全系列晶體管產(chǎn)品，涵蓋 碳化硅 (SiC) 晶體管、IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管等產(chǎn)品，公司長期致力于為客戶提供高性能、高可靠性的功率器件。
明佳達電子長期供應(yīng)以下ON 晶體管產(chǎn)品：
一、碳化硅（SiC）晶體管
碳化硅（SiC）材料憑借其高擊穿場強、高熱導(dǎo)率等特性，使SiC MOSFET和SiC肖特基二極管在高壓、高溫和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
典型產(chǎn)品型號：
FFSH40120A：1200V/40A SiC肖特基二極管，反向恢復(fù)損耗極低，搭配SiC MOSFET可構(gòu)建高效全SiC系統(tǒng)。
NVHL080N120SC1：1200V/80mΩ SiC MOSFET，開關(guān)頻率可達MHz級別，適用于車載充電器（OBC）和光伏逆變器。
NV4TH015N090SC1：900V/15mΩ SiC MOSFET模塊，集成半橋拓撲，用于工業(yè)電源和儲能系統(tǒng)。
二、IGBT晶體管
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的高電流能力，廣泛用于逆變器、電機驅(qū)動和工業(yè)變頻器。
典型產(chǎn)品型號：
FGH40T65SQD：650V/40A高速IGBT，優(yōu)化了短路耐受能力，適合焊接設(shè)備和電機控制。
NXV15F120T1：集成反向二極管的汽車級IGBT模塊，符合AEC-Q101標準，用于電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)。
NGTB40N120FL3WG：1200V/40A IGBT，采用Field Stop III技術(shù)，開關(guān)損耗低，適用于太陽能逆變器和UPS系統(tǒng)。
三、MOSFET晶體管
Onsemi的MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）以低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、高開關(guān)頻率和低損耗著稱，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等場景。
典型產(chǎn)品型號：
FDBL86062：雙N溝道MOSFET，耐壓60V，專為同步整流設(shè)計，適合高頻開關(guān)電源。
FDMS86101：采用PowerTrench?技術(shù)的MOSFET，耐壓100V，電流能力高達120A，適用于電動汽車充電模塊。
NTMFS5C410N：N溝道MOSFET，耐壓40V，連續(xù)電流100A，RDS(on)低至0.41mΩ，適用于服務(wù)器電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
此外，明佳達電子還長期供應(yīng)【ON】功率模塊，涵蓋 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模塊、二極管、SiC二極管和智能功率模塊等；也供應(yīng)【ON】傳感器，涵蓋 圖像傳感器、感應(yīng)式傳感、圖像信號處理器（ISP）、圖像傳感器模塊、光電探測器（SPAD、SiPM） 、熱管理 、超聲波傳感器、環(huán)境光傳感器、電化學傳感器AFE等產(chǎn)品。
如需了解更多產(chǎn)品信息或獲取樣品，歡迎聯(lián)系明佳達電子團隊。
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