CoolGaN?600V 增強(qiáng)型功率晶體管提供快速的開關(guān)速度和最小的開關(guān)損耗， 并實(shí)現(xiàn)最高效率的簡單半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaN? 增強(qiáng)型功率晶體管
產(chǎn)品描述
1、IGLD60R190D1AUMA1 表面貼裝型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1
系列： CoolGaN?
FET 類型： N 通道
技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：10A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： -
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： -
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 960μA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 157 pF @ 400 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： PG-LSON-8-1
封裝/外殼： 8-LDFN 裸焊盤
基本產(chǎn)品編號： IGLD60
2、IGLD60R070D1AUMA3 表面貼裝型 N 通道 600 V 15A（Tc） 114W（Tc） PG-LSON-8-1
系列 CoolGaN?
FET： 類型 N 通道
技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：15A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： -
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： -
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 380 pF @ 400 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 114W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： PG-LSON-8-1
封裝/外殼： 8-LDFN 裸焊盤
介紹
CoolGaN?600V 增強(qiáng)型功率晶體管提供快速的開關(guān)速度和最小的開關(guān)損耗， 并實(shí)現(xiàn)最高效率的簡單半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
CoolGaN?600V系列符合全面為GaN而定制的認(rèn)證，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。 它針對數(shù)據(jù)通信和服務(wù)器開關(guān)電源，電信以及適配器，充電器，無線充電以及其他需要最高效率或功率密度的應(yīng)用。
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