概述：采用溝槽式 MOSFET 技術(shù)的 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 (FET)，采用無引線超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面安裝器件 (SMD) 塑料封裝。產(chǎn)品型號：PMZ290UNE2年份：21+FET 類型： N 通道 技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）： 20 V 25C 時電流 - 連續(xù)漏極…
概述：采用溝槽式 MOSFET 技術(shù)的 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 (FET)，采用無引線超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面安裝器件 (SMD) 塑料封裝。
產(chǎn)品型號：PMZ290UNE2
年份：21+
FET 類型： N 通道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：1.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 320 毫歐 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 950mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 46 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），5.43W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： SOT-883
封裝/外殼： SC-101，SOT-883
特點和優(yōu)勢
? 溝槽 MOSFET 技術(shù)
? 低閾值電壓
? 開關(guān)速度極快
? 靜電放電 (ESD) 保護：2 kV HBM
? 無引線超小型 SMD 塑料封裝：1.0 x 0.6 x 0.48 毫米
應(yīng)用
? 繼電器驅(qū)動器
? 高速線路驅(qū)動器
? 低壓側(cè)負載開關(guān)
? 開關(guān)電路
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