明佳達(dá)公司（出售，收購）英飛凌晶體管 IAUC60N04S6N050 車規(guī)級MOSFET - 陣列 40V 60A（Tj） 52W（Tc） 表面貼裝型 PG-TDSON-8-57型號：IAUC60N04S6N050批次：新23+系列：OptiMOS?介紹Infineon Technologies OptiMOS? 6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出…
明佳達(dá)公司（出售，收購）英飛凌晶體管 IAUC60N04S6N050 車規(guī)級MOSFET - 陣列 40V 60A（Tj） 52W（Tc） 表面貼裝型 PG-TDSON-8-57
批次：新23+
系列：OptiMOS?
介紹
Infineon Technologies OptiMOS? 6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù)，顯著提升了性能。與同類產(chǎn)品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并針對同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。
另外，該器件具有更高的品質(zhì)因數(shù)（FOM - RDS(on) x Qg和Qgd），可讓設(shè)計人員提高效率并降低系統(tǒng)成本。OptiMOS 6保持了輸出更高功率的優(yōu)勢，其中RDS(on) 損耗顯著降低，從而在整個工作范圍內(nèi)進(jìn)一步提高了性能。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 74 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 13 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
下降時間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 1 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 6 ns
典型接通延遲時間: 3 ns
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