商品名稱:DF200R12KE3
數(shù)據(jù)手冊(cè):DF200R12KE3.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
DF200R12KE3是一款62mm 1200V 200A 斬波器 IGBT 模塊,該IGBT優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性,例如,柔度和降低開(kāi)關(guān)損耗,具有靈活性、出色的電氣性能以及高可靠性等產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:-
配置:?jiǎn)温?/span>
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
功率 - 最大值:1040 W
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A
電流 - 集電極截止(最大值):5 mA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):14 nF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無(wú)
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SPW35N60C3 是英飛凌(Infineon)推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 CoolMOS? C3 系列。該系列器件以其低導(dǎo)通電阻、高功率密度和高效率而聞名,適用于多種高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。CY15B204QSN-108SXET
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ICE5GR4780AG是英飛凌最新第 5 代固定頻率 CoolSET? 具有高性能,與最新一代 800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7 集成,采用 DSO-12 封裝。其主要特點(diǎn)包括:125kHz 最大開(kāi)關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),功率輸出高達(dá) 22W過(guò)電壓保護(hù),…ICE5AR0680BZS
ICE5AR0680BZS是英飛凌最新一代的固定頻率 CoolSET? 產(chǎn)品,具有高性能和集成 800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7的功能?。該產(chǎn)品采用 DIP-7 封裝,符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),最大開(kāi)關(guān)頻率為100kHz,適用于通用寬域輸入(85~300VAC)的 DCM 設(shè)計(jì),功率輸出高達(dá)39W。它具有過(guò)電壓保護(hù)…ICE5GR1680AG
ICE5GR1680AG 是由 Infineon 推出的一款最新第5代固定頻率 CoolSET? 控制器,集成了最新一代800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7,采用 DSO-12 封裝??。該器件具有以下主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):125kHz 最大開(kāi)關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),…電話咨詢:86-755-83294757
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