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NXH200T120H3Q2F2STG 是一種功率模塊，包含一個分體式T 型中性點箝位三電平逆變器。集成的場和 SiC 二極管降低了傳導損耗和開關損耗，使設計人員能夠實現(xiàn)高效率和卓越的可靠性。NXH200T120H3Q2F2STG 預應用了熱界面材料 (TIM) 模塊。NXH200T120H3Q2F2STG分體式 T 型中性點夾緊三電平逆變器模塊，具有1200 V 超場截止 IGBT 和 650 V FS4 IGBT，650 V SiC 二極管，低電感布局，可焊接引腳，熱敏電阻，采用預涂熱界面材料 (TIM)。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：330 A

功率 - 最大值：679 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，200A

電流 - 集電極截止（最大值）：500 μA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：35.615 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：56-PIM/Q2PACK（93x47）

應用

? 太陽能逆變器

? 不間斷電源

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