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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:ISZ173N15NM6

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-TSDSON-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
ISZ173N15NM6
封裝
PG-TSDSON-8
描述
150V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET晶體管,PG-TSDSON-8

產(chǎn)品描述

ISZ173N15NM6:150V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET晶體管,正常電平,采用 SuperSO8 封裝


ISZ173N15NM6 規(guī)格參數(shù):

系列:OptiMOS? 6

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.9A(Ta),48A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):16.3 毫歐 @ 16A,15V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 35μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):19.2 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1300 pF @ 75 V

功率耗散(最大值):25W(Ta),94W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼:8-PowerTDFN


ISZ173N15NM6 產(chǎn)品特性:

RDS(on) 比 OptiMOS ?低 42%

FOMg 比 OptiMOS ? 5 低 20%

150 V 下業(yè)界最低的 Qrr

與 OptiMOS ? 5 相比,二極管軟度得到改善

Vgs(th) 嚴(yán)格控制在 +/-500 mV 范圍內(nèi)

高雪崩強度

最大 Tj 為 175°C


ISZ173N15NM6 應(yīng)用:

儲能系統(tǒng) 

電信基礎(chǔ)設(shè)施 

光伏 

工業(yè)電源 

服務(wù)器電源 


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PG-WSON-8

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IPT034N15NM6

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PG-HSOF-8

2000

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IPP057N15NM6

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TO-220-3

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IPP038N15NM6

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TO-220-3

2000

OptiMOS? 6 N溝道功率MOSFET晶體管

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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