商品名稱:FS50R12W2T4
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS50R12W2T4.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FS50R12W2T4低開(kāi)關(guān)耗能,采用第四代溝槽柵 IGBT,VCEsat 帶正溫度系數(shù),低 VCEsat,低熱阻 Al2O3 基板,采用緊湊型設(shè)計(jì),焊接技術(shù),集成的安裝夾使安裝更堅(jiān)固,緊湊模塊的概念,優(yōu)化客戶的開(kāi)發(fā)周期,降低成本,靈活的配置。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
配置:全橋反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):83 A
功率 - 最大值:335 W
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):2.8 nF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:模塊
應(yīng)用
? 不間斷電源(UPS)
? 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飛凌的 N溝道功率MOSFET,屬于 CoolMOS? CP系列,采用 TO-220FP(PG-TO-220-FP)封裝,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電力系統(tǒng)及汽車電子等應(yīng)用。IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N溝道功率MOSFET,采用 TO-220AB封裝,適用于高電流開(kāi)關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飛凌的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3系列,采用 TDSON-8封裝(3.33.3mm),適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及汽車電子等應(yīng)用。BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET,采用 TDSON-8封裝,屬于 OptiMOS? 5系列。BTS724G
BTS724G 是英飛凌推出的四通道智能高端開(kāi)關(guān),采用PG-DSO-20封裝,專為汽車電子和工業(yè)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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