STB120NF10T4是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于 STripFET? II 系列,采用 TO-263-3(D2PAK)封裝,適用于高電流、高耐壓 應(yīng)用場景。該器件具有 低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,廣泛應(yīng)用于 電源管理、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
STB120NF10T4產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 172 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 312 W
通道模式: Enhancement
STB120NF10T4 主要特性
低導(dǎo)通電阻:10.5mΩ @ 60A, 10V,減少導(dǎo)通損耗,提高效率。
高電流承載能力:110A 連續(xù)電流,適用于大功率開關(guān)應(yīng)用。
快速開關(guān)性能:上升時間 90ns,下降時間 68ns,優(yōu)化 PWM 控制效率。
工業(yè)級可靠性:100% 雪崩測試,確保器件在高壓瞬態(tài)下的穩(wěn)定性。
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無鉛封裝,適用于環(huán)保要求嚴(yán)格的場景。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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