商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:48-VFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7S1061G30-10BVXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM,按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時(shí)間(10 ns)和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061G30-10BVXI 器件的睡眠模式電流低至 45 μA,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件還具有嵌入式 ECC 功能。ECC 邏輯可檢測(cè)并糾正訪問位置中的單位錯(cuò)誤。CY7S1061G30-10BVXI 器件包含一個(gè)ERR 引腳,可在讀取周期內(nèi)發(fā)出錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正事件信號(hào)。
CY7S1061G30-10BVXI 的特點(diǎn)
高速
tAA = 10 ns
超低功耗 PowerSnooze? 器件
深度睡眠 (DS) 電流 IDS = 45 μA 最大值
低活動(dòng)和待機(jī)電流
ICC = 90-mA 典型值
ISB2 = 20-mA 典型值
寬工作電壓范圍: 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和 4.5 V 至 5.5 V
嵌入式糾錯(cuò)碼 (ECC),用于單位糾錯(cuò)
1.0 V 數(shù)據(jù)保持
晶體管晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出
錯(cuò)誤指示 (ERR) 引腳,用于指示 1 位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正
提供無鉛和錫/鉛 48 球 VFBGA 封裝
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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