商品名稱:LPDDR4 SDRAM
品牌:SK hynix
年份:25+
封裝:FBGA-200
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)等移動設(shè)備。該芯片采用 FBGA-200封裝,支持 1.8V/1.1V/0.6V多電壓供電,具有 低功耗、高帶寬 的特點,適用于高性能計算和存儲密集型應(yīng)用。
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR屬于 LPDDR4X系列,相比標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4,其I/O功耗降低45%,更適合節(jié)能型設(shè)備。
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR特性
低功耗設(shè)計
支持 0.6V超低I/O電壓,相比LPDDR4節(jié)能45%。
多種省電模式(Self-Refresh、Deep Power-Down)。
高帶寬性能
數(shù)據(jù)速率 3733Mbps(等效1866MHz時鐘頻率)。
雙通道架構(gòu),提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
高密度存儲
2GB容量(1G×16組織架構(gòu)),滿足移動設(shè)備多任務(wù)需求。
增強可靠性
符合 AEC-Q100 車規(guī)認(rèn)證(部分型號),適用于汽車電子。
支持 ECC(糾錯碼),提高數(shù)據(jù)完整性。
寬溫支持
工作溫度 -25°C ~ +85°C(商業(yè)級)或 -40°C ~ +105°C(工業(yè)級)。
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR參數(shù)
存儲容量:2GB(1G×16)
數(shù)據(jù)速率:3733Mbps(LPDDR4X)
電壓:1.8V(VDD)、1.1V(VDDQ)、0.6V(VDD2H)
封裝:FBGA-200
溫度范圍:-25°C ~ +85°C(商業(yè)級)
接口:16位雙通道
刷新模式:Auto/Self-Refresh
典型應(yīng)用
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR 主要應(yīng)用于:
智能手機/平板電腦:高分辨率顯示、AI計算加速。
車載信息娛樂系統(tǒng):導(dǎo)航、多媒體處理。
工業(yè)嵌入式設(shè)備:邊緣計算、機器視覺。
消費電子:AR/VR設(shè)備、便攜式游戲機。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社,2012年被SK集團收購以后正式更名為SK海力士株式會社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,當(dāng)前在韓國利川和清州、 中國無錫和重慶設(shè)有四個生產(chǎn)基地,并在全…
HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA107N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA107N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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