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SCTWA40N120G2V器件是一款1200 V碳化硅場效應管（MOSFET），主要用于需要高電壓和高電流處理的場合，如電源管理、電機控制等?。這款碳化硅功率 MOSFET 器件采用ST的第二代 SiC MOSFET 技術開發(fā)而成。

技術參數

產品：SCTWA40N120G2V

封裝 / 箱體：HiP247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：36 A

Rds On-漏源導通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.45 V

Qg-柵極電荷：61 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 200 C

Pd-功率耗散：278 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：7.9 ns

封裝：Tube

產品：SiC MOSFETS

產品類型：SiC MOSFETS

上升時間：10.3 ns

典型關閉延遲時間：22 ns

典型接通延遲時間：13.4 ns

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