商品名稱:IGBT 模塊
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:AG-EASY2B
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
DF160R12W2H3F是一款1200 V 160 A 增壓 IGBT模塊,采用IGBT HighSpeed 3技術(shù),結(jié)合SiC肖特基二極管,提升開關(guān)速度與能效?。DF160R12W2H3F模塊適用于中小功率逆變器,支持A0級/A00級純電車型及混合動力系統(tǒng)?。
技術(shù)規(guī)格
產(chǎn)品:DF160R12W2H3F
配置:Quad
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1.2 kV
集電極—射極飽和電壓:1.55 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:20 A
柵極—射極漏泄電流:100 nA
Pd-功率耗散:20 mW
封裝 / 箱體:Module
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
安裝風格:Press Fit
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
系列:High Speed IGBT H3
單位重量:36 g
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢:86-755-83294757
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