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集成電路芯片BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN N溝道MOSFET晶體管

產(chǎn)品介紹

BSZ060NE2LSATMA1是OptiMOS? 25V MOSFET晶體管，具有半橋配置（功率級5x6）。

規(guī)格

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：25 V

Id - 連續(xù)漏極電流：40 A

Rds On - 漏極-源極電阻：6.5 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2 V

Qg - 柵極電荷： 9.1 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 150 C

Pd - 功率耗散：26 W

通道模式： 增強型

特點

極低的柵極和輸出電荷

極低的導(dǎo)通電阻和小的封裝尺寸

在所有的負載條件下，降低了功耗，提高了效率

通過減少多相轉(zhuǎn)換中的相數(shù)來節(jié)省整體系統(tǒng)成本

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。