商品名稱:N 溝道 MOSFET
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT015N10N5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:30980 件
英飛凌采用TO-Leadless封裝的OptiMOS?功率MOSFET為高達(dá)300A的大電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如叉車、輕型電動(dòng)車(LEV)、電動(dòng)工具、負(fù)載點(diǎn)(POL)、電信和電子保險(xiǎn)絲。此外,封裝尺寸縮小了60%,使其設(shè)計(jì)非常緊湊。與D2PAK 7-pin相比,TO-Leadless的占地面積大幅減少30%。高度減少了50%,在狹窄的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),如機(jī)架或刀片服務(wù)器。
IPT015N10N5產(chǎn)品規(guī)格:
系列:OptiMOS?
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :300A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.5 毫歐 @ 150A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 211 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 16000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-HSOF-8-1
封裝/外殼: 8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號(hào): IPT015
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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