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MSC025SMA120B4器件是一個1200V SiC MOSFET，采用TO-247-4引腳封裝，具有源感。該 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態(tài)性能和熱性能，優(yōu)于傳統(tǒng)的硅功率二極管。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：103A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號：MSC025

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