商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IPQC60T010S7是一款600 V CoolMOS S7T功率MOSFET,它非常適合 MOSFET 以低頻開(kāi)關(guān)的應(yīng)用,例如有源橋整流、逆變級(jí)、浪涌繼電器、PLC、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器。
Infineon的高性能 CoolMOS? SJ MOSFET 技術(shù)可以輕松設(shè)計(jì)速度更快、品質(zhì)卓越的新型高功率產(chǎn)品。 S7 系列高壓超級(jí)結(jié) MOSFET將 22 mOhm 芯片內(nèi)置于創(chuàng)新的小型 TO 無(wú)引線 (TOLL) SMD 封裝中,為功率密度樹(shù)立了新的基準(zhǔn)。
產(chǎn)品屬性:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PG-HDSOP-22
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:174 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:318 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散:694 W
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
商標(biāo):Infineon Technologies
配置:Single
下降時(shí)間:9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFETs
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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