商品名稱:碳化硅(SIC)FET
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
UG4SC075009K4S 750V 8.4m?組合FET在單個TO-247-4L封裝中集成了750V SiC JFET和低壓Si MOSFET。該設(shè)計可實現(xiàn)常閉開關(guān),同時受益于超低導通電阻[RDS(on)]和常開SiC JFET的穩(wěn)健性。
Qorvo UG4SC組合FET非常適用于電路保護中的高能量開關(guān)。對于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換,該器件可單獨訪問JFET和MOSFET,從而增強速度控制并簡化多個器件并聯(lián)。
UG4SC075009K4S的規(guī)格:
產(chǎn)品:Combo FET
技術(shù):SiC
Vf - 正向電壓:1.24 V
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 25 V
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-247-4
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
系列:UG4S
商標:Qorvo
下降時間:40 ns
Id-連續(xù)漏極電流:106 A
產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導通電阻:8.8 mOhms
上升時間:25 ns
子類別:Discrete and Power Modules
典型關(guān)閉延遲時間:114 ns
典型接通延遲時間:24 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:750 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計經(jīng)驗,全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
RF5426TR13
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