商品名稱:IMZA65R083M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA65R083M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
IMZA65R083M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。
英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可降低源極寄生電感對(duì)門極電路的影響,從而加快開關(guān)速度,提高效率。
IMZA65R083M1H規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :26A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) :111 毫歐 @ 11.2A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.7V @ 3.3mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):19 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +20V,-2V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):624 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值):104W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-3
封裝/外殼: TO-247-4
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽能系統(tǒng)
儲(chǔ)能和電池信息
UPS
電動(dòng)汽車充電
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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