AR0822圖像傳感器具有增強的NIR靈敏度和復雜的攝像頭功能,例如分檔/窗口。該傳感器設計用于惡劣環(huán)境,工作結溫范圍為-30°C至+85°C。
說明:
AR0822NPSC10SMTA0-DR是一款基于2.0μm像素的800萬像素堆疊式1/1.8英寸(對角線8.81mm)背照式(BSI)CMOS數(shù)字圖像傳感器。它具有3840H×2160V的有源像素陣列,能夠以每秒60幀(fps)實現(xiàn)4K視頻,以線性或eHDR模式(120dB)捕獲圖像,并具有滾動?快門讀出。
規(guī)格:
類型:CMOS
像素大?。?μm x 2μm
有源像素陣列:3840H x 2160V
每秒幀數(shù):60.0
電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V
封裝/外殼:75-BGA
供應商器件封裝:75-PBGA(14x9.5)
工作溫度:-30°C ~ 85°C
應用:
? 4K/8MP成像
? 安全和監(jiān)控攝像機
? 機器人技術
? 車輛儀表板攝像頭
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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