商品名稱:SiC二極管模塊
品牌:ON
年份:24+
封裝:PIM-50
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NXH400B100H4Q2F2SG是一款包含雙通道快速電容升壓的電源模塊。集成的場(chǎng)截止溝槽IGBT和Si/SiC二極管提供更低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和出色的可靠性。該模塊設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能逆變器和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)用。
NXH400B100H4Q2F2SG的規(guī)格:
產(chǎn)品:Boost Power Modules
配置:IGBT Inverter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1 kV
集電極—射極飽和電壓:1.88 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:164 A
柵極—射極漏泄電流:1 uA
Pd-功率耗散:396 W
封裝 / 箱體:PIM-50
最小工作溫度:- 40°C
最大工作溫度:+ 175°C
封裝:Tray
商標(biāo):onsemi
柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
系列:NXH400B100H4Q2F2SG
工廠包裝數(shù)量:36
子類別:IGBTs
技術(shù):Si
商標(biāo)名:EliteSiC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
SOT-227-4
1000
二極管模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 700 V 100A(DC) 底座安裝 SOT-227-4,miniBLOC
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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