商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:BGA-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S26HL01GTFPBHM030 - 1Gbit NOR 閃存存儲器 IC,帶 HYPERBUS? 接口
S26HL01GTFPBHM030 - 產品說明:
S26HL01GTFPBHM030 是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件,兼容 JEDEC JESD251 擴展 SPI(xSPI)規(guī)范。SEMPER? 閃存專為功能安全而設計,其開發(fā)符合 ISO 26262 標準,可實現(xiàn) ASIL-B 合規(guī)性和 ASIL-D 就緒性。帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存器件同時支持 HYPERBUS? 接口和傳統(tǒng) (x1) SPI。這兩種接口都能串行傳輸事務,減少了接口連接信號的數(shù)量。SPI 支持 SDR,而 HYPERBUS? 支持 DDR。
S26HL01GTFPBHM030 - 主要特性:
英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術,在每個存儲器陣列單元中存儲兩個數(shù)據(jù)位
256 或 512 字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)
1024 字節(jié)(32 × 32 字節(jié))的 OTP 安全硅區(qū)域 (SSR)
HYPERBUS? 接口
帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存支持傳統(tǒng) SPI (x1) 或 HYPERBUS? 接口 (x8) 默認啟動
自動啟動功能可在上電后立即訪問內存陣列
描述設備功能和特性的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP)
設備標識、制造商標識和唯一標識
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…DZ540N26K
DZ540N26K是一款 50mm 單整流二極管模塊,具有2600V的電壓和540A的電流容量??。該模塊采用壓力接觸技術,具有電氣絕緣基板,適用于高可靠性的工業(yè)標準包裝。基本信息型號:DZ540N26K類型:二極管模塊技術:標準電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):2600 V電流 - 平均整流 (…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,屬于 CoolSiC? 第五代 產品系列,采用 TO-247-3 封裝BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領先的基準技術,完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機驅動器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
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IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS? N 溝道汽車 MOSFET 晶體管。IPD14N06S2-80 的特性N 溝道 - 增強模式通過汽車 AEC Q101 認證MSL1 峰值回流溫度高達 260C175C 工作溫度綠色封裝(無鉛)超低 Rds(on)100% 雪崩測試IPD14N06S2-80 的優(yōu)勢在 55V(導通)電壓下,為平面技…電話咨詢:86-755-83294757
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