AR0822NPSM10SMTA0-DR - 800萬像素,滾動快門,Hyperlux? LH圖像傳感器
AR0822NPSM10SMTA0-DR - 產(chǎn)品描述:
AR0822NPSM10SMTA0-DR 屬于 onsemi 的 Hyperlux LH 產(chǎn)品系列,是一款基于 2.0 μm 像素的 800 萬像素(MP)堆疊式 1/1.8 英寸(8.81 毫米對角線)BSI(背照式)CMOS 數(shù)字圖像傳感器。它采用 3840 (H) x 2160 (V) 的有源像素陣列,能夠以每秒 60 幀的速度拍攝 4K 視頻,以線性或 eHDR 模式(120 dB)捕捉圖像,并采用滾動快門讀取。
AR0822NPSM10SMTA0-DR - 產(chǎn)品屬性
類型:CMOS 圖像傳感器
色彩感應:RGB
像素尺寸:2μm x 2μm
有源像素陣列:3840H x 2160V
每秒幀數(shù):60.0
電壓 - 電源:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V
每秒幀數(shù):90 幀/秒
封裝/外殼:BGA-75 (14x9.5)
安裝方式:SMD/SMT
光學格式:1/8 英寸
工作溫度:-30°C ~ 85°C
AR0822NPSM10SMTA0-DR - 主要功能:
4K (8 MP) 60 fps 的卓越視頻性能
以 30 fps 的速度快速全分辨率捕獲 3840 X 2160 視頻,3 次曝光嵌入式高動態(tài)范圍 (eHDR) 高達 120 dB
先進的傳感器上 eHDR 重建,可靈活控制曝光比
雙曝光線 Li-HDR 輸出
動態(tài)喚醒功能
擴展動態(tài)范圍 (eDR)
智能線性化,最大限度地減少運動偽影和 LED 閃爍
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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