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IMZA75R016M1H 750V G1 MOSFET 在性能、可靠性和堅固性方面表現(xiàn)出色。具有靈活的柵極驅(qū)動功能，可簡化具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計。該 MOSFET 可優(yōu)化效率和功率密度。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：89A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：15mOhm @ 41.5A, 20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 14.9mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2869 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：319W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

固態(tài)繼電器 (SSR)

固態(tài)斷路器 (SSCB) 

電動汽車充電

光伏逆變器

儲能系統(tǒng)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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