商品名稱:N 溝道MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:0 件
ISC151N20NM6是N 通道MOSFET,正常電平,具有極低的開電阻 RDS(導通),卓越的柵極充電 x 開路電阻產品(FOM),極低的反向恢復充電(Qrr)。175°C 工作溫度,無鉛鍍層;符合 RoHS 標準。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):9.1A(Ta),74A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):14 毫歐 @ 50A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 105μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):47 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3100 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):3W(Ta),200W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產品組合中最低…ISC165N15NM6
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