NTD250N65S3H - 采用 TO-252 (DPAK) 封裝的 650V、13A N 溝道功率 MOSFET 晶體管
型號:NTD250N65S3H
封裝:TO-252-3
類型:MOSFET 晶體管
描述:N通道 650V 13A (Tc) 106W (Tc) 表面貼裝 TO-252 (DPAK)
產品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超級結(SJ)MOSFET系列,采用電荷平衡技術,具有出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進技術專為最小化傳導損耗、提供卓越開關性能及承受極高的 dv/dt 速率而定制。
產品特性
700 V @ TJ = 150°C
超低柵極電荷(典型值 Qg = 24 nC)
低有效輸出電容(Typ. Coss(eff.) = 229 pF)
通過堅固的體二極管實現快速開關性能
100% 通過雪崩測試
符合 RoHS 規(guī)范
典型值 RDS(on) = 201 m Ω
內部柵極電阻: 0.9 Ω
應用
計算/顯示器電源
電信/服務器電源
工業(yè)電源
照明/充電器/適配器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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