商品名稱:射頻開關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:9-XFLGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
BGS13S4N9 - 寬帶射頻 SP3T 開關(guān)
零件編號(hào):BGS13S4N9
封裝:9-XFLGA
類型:射頻開關(guān) IC
詳細(xì)說明:射頻開關(guān) IC 通用 SP3T 50Ohm PG-TSNP-9-3
產(chǎn)品概述
BGS13S4N9 - RF MOS 開關(guān)專為手機(jī)和移動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。3 個(gè)端口中的任何一個(gè)都可用作分集天線的終端,處理能力高達(dá) 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 穩(wěn)定性。該 SP3T 具有插入損耗低、對(duì)天線端口干擾信號(hào)的抗干擾能力強(qiáng)以及在終端模式下諧波生成低等特點(diǎn)。片上控制器集成了 CMOS 邏輯和電平轉(zhuǎn)換器,由 1.35 V 至 VDD 的控制輸入驅(qū)動(dòng)。
BGS13S4N9 射頻開關(guān)采用英飛凌的專利 MOS 技術(shù)制造,具有砷化鎵的性能和傳統(tǒng) CMOS 的經(jīng)濟(jì)性和集成性,包括固有的更高 ESD 魯棒性。該器件尺寸非常小,僅為 1.1 x 1.1 mm2,最大高度為 0.375 mm。
功能概述
3 個(gè)高線性度 TRx 路徑,功率處理能力高達(dá) 30 dBm
外形小巧 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
2.7GHz 時(shí)插入損耗低 0.55 dB
低諧波產(chǎn)生
端口間隔離度高
0.1 至 3.0 千兆赫覆蓋范圍
片上控制邏輯包括 ESD 保護(hù)
GPIO 控制接口
無需電源阻斷
高 EMI 強(qiáng)度
符合 RoHS 和 WEEE 規(guī)范的封裝
潛在應(yīng)用
射頻 CMOS 開關(guān)專為 Edge / CDMA2000 / LTE / WCDMA 應(yīng)用而設(shè)計(jì)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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