商品名稱：GCMS040A120S1-E1
品牌：SemiQ
年份：24+
封裝：SOT-227
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
GCMS040A120S1-E1 1200V SiC MOSFET模塊在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，簡(jiǎn)化了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。SemiQ SiC MOSFET模塊以零開關(guān)損耗運(yùn)行，可顯著提高效率并減少散熱，從而允許更小的散熱器。
優(yōu)勢(shì)
高開關(guān)頻率工作時(shí)出色的功率轉(zhuǎn)換效率
低開關(guān)損耗和低EMI噪聲
非常堅(jiān)固且易于安裝
直接安裝到散熱器上（隔離封裝）
低結(jié)至外殼熱阻
由于VF的正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
光伏逆變器
航空航天致動(dòng)器
服務(wù)器電源
高壓交流/DC轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識(shí)，其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場(chǎng)：電動(dòng)汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR是一款由Samtec公司生產(chǎn)的高密度陣列板對(duì)板連接器，屬于SEARAY? SEAF插座系列。該連接器采用1.27mm間距網(wǎng)格和耐用型Edge Rate端子系統(tǒng)，具有高達(dá)56Gbps的性能。此外，SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR連接器符合IPC-A-610F和IPC J-STD-001F標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊，提升能源標(biāo)準(zhǔn)。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動(dòng)汽車、醫(yī)療電源和太陽(yáng)能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：113…
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175C結(jié)溫下工作，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功…
GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個(gè)配置有2 個(gè) N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…電話咨詢：86-755-83294757
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