商品名稱:FFSB2065B-F085
數(shù)據(jù)手冊:FFSB2065B-F085.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-263
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FFSB2065B-F085 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管使用全新技術,能夠提供卓越的開關性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的無逆向恢復電流、溫度無關開關特性和卓越的熱性能,使其成為下一代功率半導體產品。系統(tǒng)優(yōu)點包括最高能效、更快的運行頻率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及減小的系統(tǒng)尺寸和成本。
屬性
制造商:onsemi
產品種類:肖特基二極管與整流器
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-2
配置:Single
技術:SiC
If - 正向電流:20 A
Vrrm - 重復反向電壓:650 V
Vf - 正向電壓:1.38 V
Ifsm - 正向浪涌電流:45 A
Ir - 反向電流 :40 uA
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
資格:AEC-Q101
Pd-功率耗散:79 W
Vr - 反向電壓 :650 V
單位重量:1.485 g
應用
汽車HEV-EV車載充電器
汽車HEV-EV DC-DC轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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