商品名稱:SCT040HU65G3AG
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCT040HU65G3AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HU3PAK
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
SCT040HU65G3AG 器件是650V,30A 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET,采用HU3PAK封裝。該器件采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)的。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS(on),結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作,從而提高了頻率,能效,系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應(yīng)用性能。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):55 毫歐 @ 20A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):39.5 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):920 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):221W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:HU3PAK
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號(hào):SCT040
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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