商品名稱:AFGHL40T65SPD
數(shù)據(jù)手冊:AFGHL40T65SPD.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1450 件
AFGHL40T65SPD采用新型場阻第三代IGBT技術(shù),在各種應(yīng)用中提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的最佳性能,實現(xiàn)高效運行,提供50 V更高的阻斷電壓和堅固的高電流開關(guān)可靠性。
同時,該部分還提供了并行操作中出色性能的優(yōu)點。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) :120 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值:267 W
開關(guān)能量:1.16mJ(開),270μJ(關(guān))
輸入類型:標準
柵極電荷:36 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/35ns
測試條件: 400V,40A,6 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr) :35 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號:AFGHL40
典型應(yīng)用
?車載充電器
?空調(diào)壓縮機
?PTC加熱器
?電機驅(qū)動器
?其他汽車動力傳動系應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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