商品名稱:IPLK60R1K0PFD7
數(shù)據(jù)手冊:IPLK60R1K0PFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPLK60R1K0PFD7 是 600V CoolMOS? PFD7 超級結(jié) MOSFET 晶體管,采用 ThinPAK 5x6 封裝,具有 1,000mOhm 的 RDS(on),開關(guān)損耗低。
特性概述
極低的 FOM RDS(on) x Eoss
集成堅固耐用的快速體二極管
高達(dá) 2kV 的 ESD 保護(hù)
廣泛的 RDS(on) 值范圍
出色的換向堅固性
低 EMI
優(yōu)勢
開關(guān)損耗最小
與最新的 CoolMOS? 充電器技術(shù)相比,功率密度有所提高
與用于低功率驅(qū)動應(yīng)用的 CoolMOS? CE 技術(shù)相比,效率更高,熱性能更好
降低 BOM 成本,易于制造
穩(wěn)健性和可靠性
易于選擇合適的部件進(jìn)行設(shè)計微調(diào)
潛在應(yīng)用
消費(fèi)類
充電器
適配器
冰箱
風(fēng)扇
水泵
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
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