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STGWA50H65DFB2 IGBT 650V HB2系列代表了先進的專有溝槽柵極場截止結構的演變。HB2系列在低電流值下具有更好的VCE（sat）特性，并降低了開關能量，因此其性能在導通方面得到了優(yōu)化。非?？斓能浕謴投O管與IGBT反并聯(lián)地共同封裝。其結果是一款專為最大限度地提高各種快速應用的效率而設計的產(chǎn)品。

規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：86 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A

功率 - 最大值：272 W

開關能量：910μJ（開），580μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：151 nC

25°C 時 Td（開/關）值：28ns/115ns

測試條件：400V，50A，4.7 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：92 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商器件封裝：TO-247 長引線

基本產(chǎn)品編號：STGWA50

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