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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:IGLD60R190D1S

商品名稱:IGLD60R190D1S

數(shù)據(jù)手冊:IGLD60R190D1S.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-LSON-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IGLD60R190D1S
封裝
PG-LSON-8
描述
CoolGaN? 600 V 增強型功率晶體管具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷速度,開關(guān)損耗最小

產(chǎn)品描述

IGLD60R190D1S氮化鎵 HEMT 采用小尺寸 SMD 封裝,適用于需要無散熱器緊湊型器件的應(yīng)用。CoolGaN? 600 V 系列氮化鎵器件通過了全面的氮化鎵定制認(rèn)證,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。PG-LSON-8 封裝是一種無引線 SMD 封裝,專為要求最高效率和功率密度的消費類 SMPS 和高密度充電器而設(shè)計。


這種扁平封裝具有 8x8mm2 的小尺寸。該封裝尺寸具有增強的熱阻,結(jié)合其基準(zhǔn)低寄生電感,可在功率密度驅(qū)動的設(shè)計中作為縮小系統(tǒng)解決方案尺寸的一種新的有效方法。


特征描述

具有增強熱阻的小尺寸 GaN HEMT,適合功率密度驅(qū)動設(shè)計中的最佳系統(tǒng)解決方案尺寸

CoolGaN? 600V 系列,GaN 定制資格認(rèn)證


優(yōu)勢

提高系統(tǒng)效率

提高功率密度

實現(xiàn)更高的工作頻率

降低系統(tǒng)成本

減少電磁干擾


潛在應(yīng)用

低功耗 SMPS

充電器/適配器

基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的消費類 SMPS(用于硬開關(guān)和軟開關(guān)的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如圖騰柱 PFC、高頻 LLC)。

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IGLD65R080D2

INFINEON

PG-LSON-8

3000

650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管

IGC033S10S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3,2.4 m?

IGC033S101

INFINEON

PG-VSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,2.4 m?

IGC025S08S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3,1.8 m?

IGC019S06S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3,1.3 m?

IGC090S20S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 43 A ?200 V G3,6.7 m?

IGC037S12S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 71 A ?120 V G3,2.7m?

IGB110S10S1

INFINEON

PG-TSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ

IGB110S101

INFINEON

PG-VSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ

IGB070S10S1

INFINEON

PG-TSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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