商品名稱：MSCSM120TLM16C3AG
數(shù)據(jù)手冊：
MSCSM120TLM16C3AG.pdf
品牌：Microchip
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
MSCSM120TLM16C3AG SiC 功率 MOSFET，具有低 RDS（導通），高溫性能是SiC 肖特基二極管（CR1 和 CR2），具有零反向恢復和零正向恢復，且開關行為不受溫度影響，VF 正溫度系數(shù)，開爾文源，易于驅動，雜散電感低，集成度高。氮化鋁基板可提高熱性，器件在高頻工作時性能卓越，直接安裝到散熱器（隔離封裝），結殼熱阻低，電源和信號端子均可焊接，便于 PCB 安裝，外形小巧，且符合 RoHS 規(guī)范。
產(chǎn)品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：4 個 N 通道（三級反相器）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：173A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 80A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：464nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6040pF @ 1000V
功率 - 最大值：745W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應商器件封裝：SP3F
應用
● 不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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