商品名稱:CAB650M17HM3
數(shù)據(jù)手冊:CAB650M17HM3.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
Wolfspeed CAB650M17HM3高性能半橋模塊是經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的全碳化硅低電感半橋模塊,尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。兼容62mm的輕質(zhì)ALSiC基板支持系統(tǒng)改造。其他特性包括+175°C工作結(jié)溫和高可靠性氮化硅絕緣體。HM3高性能半橋模塊非常適合用于鐵路/牽引、太陽能、電動汽車充電器以及工業(yè)自動化/測試應(yīng)用。
技術(shù)特點(diǎn)
? 超低損耗
? 高頻運(yùn)行
? 來自 MOSFET 的零關(guān)斷尾電流
? 常開、故障安全器件操作
系統(tǒng)優(yōu)勢
? 實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)
? 低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率 和 SiC 的傳導(dǎo)損耗
? 降低熱要求和系統(tǒng)成本
CAB650M17HM3的產(chǎn)品屬性
技術(shù): 碳化硅(SiC)
配置: 2 N-通道(雙)
FET 功能: -
漏源電壓(Vdss): 1700V(1.7kV)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 916A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.86 毫歐 @ 650A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.6V @ 305mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 2988nC @ 15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 97300pF @ 1200V
功率 - 最大值: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: 模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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