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PSMN012-60HLX N溝道MOSFET是一款雙邏輯電平N溝道MOSFET，采用LFPAK56D（雙電源SO8）封裝。Nexperia MOSFET采用應(yīng)用特定 (ASFET) 重復(fù)雪崩硅技術(shù)。該器件通過10億雪崩事件測試。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Ta）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：12.5mOhm @ 10A，5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22.4nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2953pF @ 25V

功率 - 最大值：64W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56D

應(yīng)用

● 無刷直流和有刷直流電機控制

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 高性能同步整流

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