商品名稱:IPT111N20NFD
數(shù)據手冊:IPT111N20NFD.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPT111N20NFD N 溝道具有正常電平,是快速二極管(FD),降低 Qrr,針對高換向魯棒性進行了優(yōu)化,具有超低導通電阻 RDS(導通),且有175°C 工作溫度,采用無鉛鍍層;符合 RoHS 標準,通過 JEDEC1 目標應用認證。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):96A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):11.1 毫歐 @ 96A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 267μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):87 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7000 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):375W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-HSOF-8-1
封裝/外殼:8-PowerSFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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