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全新系列的 NTH4L070N120M3S  1200V M3S平面型EliteSiC MOSFET，優(yōu)化用于快速開關(guān)應(yīng)用。平面工藝在負(fù)柵極驅(qū)動電壓和柵極上的關(guān)斷尖峰下都能夠可靠運行。EliteSiC碳化硅系列在用18V柵極驅(qū)動時能提供最佳性能，但同樣適用15V柵極驅(qū)動。

產(chǎn)品屬性

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): SiC

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4L

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 37 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 91 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.4 V

Qg-柵極電荷: 49 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 252 W

通道模式: Enhancement

系列: NTH4L070N120M3S

配置: Single

下降時間: 11 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S

上升時間: 12 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間:10 ns

典型應(yīng)用

太陽能逆變器

電動汽車充電站

不間斷電源（UPS）

儲能系統(tǒng)

SMPS（開關(guān)模式電源）

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。