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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPQC60R010S7XTMA1

商品名稱:IPQC60R010S7XTMA1

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPQC60R010S7XTMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPQC60R010S7XTMA1
封裝
PG-HDSOP-22
描述
表面貼裝型 N 通道 600 V 50A(Tc) 694W(Tc) PG-HDSOP-22

產(chǎn)品描述

IPQC60R010S7XTMA1可為低頻開關(guān)應(yīng)用提供最出色的性能。CoolMOS?S7 擁有 HVSJMOSFET 中最低的 RDS(導(dǎo)通)值,顯著提高了能效。CoolMOS?S7 針對(duì) "靜態(tài)開關(guān) "和高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它不僅適用于固態(tài)畦式斷路器設(shè)計(jì),也適用于 SMPS 和逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的線路整流。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):50A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):12V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):10 毫歐 @ 50A,12V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 3.08mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):318 nC @ 12 V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):694W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22

封裝/外殼:22-PowerBSOP 模塊


應(yīng)用

● 固態(tài)繼電器和斷路器

● 大功率/高性能應(yīng)用中的線路整定,如計(jì)算機(jī)、電信、UPS 和太陽能

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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