商品名稱:IMT65R260M1HXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMT65R260M1HXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMT65R260M1HXUMA1是在英飛凌 20 多年來(lái)開(kāi)發(fā)的固體硅碳化硅技術(shù)基礎(chǔ)上制造的。利用寬帶隙 SiC 材料的特性,650VCoolSiC?MOSFET 充分利用了寬帶隙 SiC 材料的特性,在性能、可靠性和易熔性方面實(shí)現(xiàn)了獨(dú)特的組合。它適用于高溫和高濕度操作,可實(shí)現(xiàn)最簡(jiǎn)化、最經(jīng)濟(jì)、最高系統(tǒng)效率的部署。
特點(diǎn)
● 優(yōu)化的開(kāi)關(guān)行為,可承受大電流
● 換向穩(wěn)健的堅(jiān)固外殼二極管,具有低 Qf
● 卓越的氧化門(mén)可靠性
● 最大溫度為 175°C,具有優(yōu)異的熱性能
● 較低的 RDS(導(dǎo)通)和脈沖電流對(duì)溫度的依賴性
● 提高了雪崩能力
● 兼容標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器(推薦驅(qū)動(dòng)電壓:0V-18V)
● 高電壓源可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 4 倍
應(yīng)用
● 電信和服務(wù)器 SMPS
● UPS(不間斷電源)
● 太陽(yáng)能光伏逆變器
● 電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施
● 儲(chǔ)能和電池信息
● 類(lèi)放大器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPD70R360P7S
IPD70R360P7S 是英飛凌推出的一款 N 溝道功率 MOSFET,基于先進(jìn)的 Trench MOSFET 技術(shù),融合了 700V CoolMOS? P7 超結(jié)技術(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,專為高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。S25FL128SDSMFBG10
S25FL128SDSMFBG10 Quad SPI 閃存是一種高性能的存儲(chǔ)解決方案,特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和大量?jī)?nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景。該存儲(chǔ)器通過(guò)四條數(shù)據(jù)線(I0、I1、I2、I3)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取、寫(xiě)入和擦除操作,每個(gè)時(shí)鐘周期可以傳輸多個(gè)比特(通常是4個(gè)比特),從而大大提高了數(shù)據(jù)傳輸速…S25FL128SDSMFV000
S25FL128SDSMFV000 是Infineon公司推出的一款Quad SPI 閃存產(chǎn)品。該存儲(chǔ)器基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的浮動(dòng)?xùn)艠O和專有的 MIRRORBIT? 技術(shù)。主要具備以下功能:MIRRORBIT? 技術(shù)汽車(chē) AEC-Q100 認(rèn)證雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR)就地執(zhí)行 (XiP)低電源電壓 (1. 8 V) 選項(xiàng)錯(cuò)誤檢查和糾正 (ECC)4 KB …S79FL256SDSMFBG03
S79FL256SDSMFBG03 Dual QSPI 閃存是一種高性能、低引腳數(shù)的NOR閃存產(chǎn)品 ,特別適合嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用。它將兩個(gè)QSPI設(shè)備集成在一個(gè)封裝中,擴(kuò)展了總線寬度從四位增加到八位,從而提升了內(nèi)存吞吐量。這種設(shè)計(jì)使得數(shù)據(jù)傳輸速度更快,適合需要高數(shù)據(jù)傳輸速率的應(yīng)用場(chǎng)景?。S79…S70FL01GSDSBHMC10
S70FL01GSDSBHMC10 Quad SPI 閃存是一種高性能的存儲(chǔ)解決方案,特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和大量?jī)?nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景。該產(chǎn)品通過(guò)四條數(shù)據(jù)線(I0、I1、I2、I3)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取、寫(xiě)入和擦除操作,每個(gè)時(shí)鐘周期可以傳輸多個(gè)比特(通常是4個(gè)比特),從而大大提高了數(shù)據(jù)傳輸速率…電話咨詢:86-755-83294757
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