商品名稱：NTH4L028N170M1
數(shù)據(jù)手冊：
NTH4L028N170M1.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
NTH4L028N170M1 是一款 N 溝道 1700 V 81A 535W 碳化硅 MOSFET 晶體管。
特性
典型值 RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V
超低柵極電荷 (QG(tot) = 200 nC)
高速開關(guān)，低電容（Coss = 200 pF）
100% 通過雪崩測試
這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范
應用
不間斷電源
直流-直流轉(zhuǎn)換器
升壓轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平，而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn)，輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計工作電壓非常低（+/- 0.9 V），但可…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關(guān)和導通損耗，可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢：86-755-83294757
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