商品名稱:SGT120R65AL
數(shù)據(jù)手冊(cè):SGT120R65AL.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
SGT120R65AL 是一款 650 V、15 A e-mode PowerGaN 晶體管,采用了成熟的封裝技術(shù)。由此產(chǎn)生的 G-HEMT 器件具有極低的傳導(dǎo)損耗、高電流能力和超快的開關(guān)操作,從而實(shí)現(xiàn)了高功率密度和無與倫比的能效表現(xiàn)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):120 毫歐 @ 5A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.6V @ 12mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):3 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+6V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):125 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):192W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
產(chǎn)品特性
增強(qiáng)型常閉晶體管
極高的開關(guān)速度
高功率管理能力
極低電容
開爾文源極墊,可實(shí)現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動(dòng)
零反向恢復(fù)電荷
應(yīng)用
平板電腦、筆記本電腦和 AIO 適配器
USB Type-C PD 適配器和快速充電器
無線充電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4 是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于 PowerMESH? 系列,采用 DPAK(TO-252-3)表面貼裝封裝,適用于高頻開關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)逆變器等應(yīng)用。L9997ND013TR
L9997ND013TR 是汽車級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC,專為有刷直流電機(jī)設(shè)計(jì),具有高集成度和出色的性能,能夠提供精確的電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)功能,適用于多種汽車應(yīng)用場(chǎng)景。VND5N07TR
VND5N07TR 一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OMNIFET II? 和 VIPower? 系列,采用 DPAK(TO-252-3)封裝。STPS41H100CG
STPS41H100CG 是一款雙共陰極肖特基二極管陣列,采用 D2PAK(TO-263-3)封裝,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及功率管理電路。STL220N6F7
STL220N6F7是意法半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET,屬于STripFET? F7系列,采用PowerFLAT?(56mm)封裝,具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和高電流承載能力,適用于新能源汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、服務(wù)器電源、光伏逆變器等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。STL220N6F7 特點(diǎn)超低導(dǎo)通電阻:1.2mΩ(…L9963T
L9963T是通用SPI到隔離SPI收發(fā)器,用于在不同電壓區(qū)域的器件之間建立通信橋。電話咨詢:86-755-83294757
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