商品名稱：NCV78247DQ0AR2G
數(shù)據(jù)手冊：
NCV78247DQ0AR2G.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：36-BFSOP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NCV78247DQ0AR2G 是一款單芯片像素控制器，帶有嵌入式開關(guān)，用于控制串聯(lián) LED 燈串中的 LED，專為汽車照明應(yīng)用而設(shè)計(jì)，尤其適用于大電流 LED。
產(chǎn)品特點(diǎn)
單芯片
集成開關(guān)，提供多種配置選項(xiàng)
外部元件最少
調(diào)光控制器
過壓檢測
過溫保護(hù)
短路/開路檢測
LED 開路故障自動(dòng)旁路
通過 SPI 與 Pixel Light ECU 的通信接口
開關(guān)開關(guān)速率控制
單個(gè) LED 開路/短路診斷反饋
每個(gè)通道的 PWM + 移相單元
高效的 SPI 突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸
多個(gè)設(shè)備之間的同步
典型應(yīng)用
- 靜態(tài)高級(jí)前部照明功能
無眩光遠(yuǎn)光燈
靜態(tài)旋轉(zhuǎn)
光束整形
光功率調(diào)節(jié)
- 信號(hào)燈上的動(dòng)畫歡迎功能
- 擦拭式閃爍器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
VSON-10
5000
LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 2 輸出 DC DC 穩(wěn)壓器 升壓 PWM 調(diào)光 34mA 10-VSON（3x3）
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號(hào)：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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